參數(shù)資料
型號： BFG94
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
封裝： BFG94<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 281K
代理商： BFG94
September 1995
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFG94
Fig.10 Maximum available stable gain as a
function of frequency.
I
c
= 20 mA; V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
Gmax
(dB)
0
10
15
10
MBB794
10
2
10
3
10
4
5
f (MHz)
Fig.11 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
G
max
= maximum available stable gain.
G
UM
= maximum unilateral power gain.
handbook, halfpage
0
20
10
0
50
MBB795
10
20
30
40
gain
(dB)
IC
Gmax
GUM
Fig.12 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
I
= 45 mA; V
= 10 V; f
(p
q)
= 810 MHz.
See test circuit, Fig.2
handbook, halfpage
10
30
70
80
MBB782
50
40
60
IC
d2
(dB)
Fig.13 Third order intermodulation distortion as a
function of collector current.
I
= 45 mA; V
= 10 V; f
(p
q
r)
= 793.25 MHz.
See test circuit, Fig.2
handbook, halfpage
10
30
70
80
MBB781
50
40
60
IC
d3
(dB)
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