參數(shù)資料
型號： BFG67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大小： 287K
代理商： BFG67
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
Fig.8 Gain as a function of frequency.
V
CE
= 8 V; I
C
= 5 mA.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MBB305
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.9 Gain as a function of frequency.
V
CE
= 8 V; I
C
= 15 mA.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MBB306
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.10 Gain as a function of frequency.
V
CE
= 8 V; I
C
= 30 mA.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
(dB)
0
10
MBB307
10
2
10
3
10
4
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Gmax
Fig.11 Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
F
(dB)
2
1
0
100
MBB308
10
1
3
IC
f = 2 GHz
1 GHz
900 MHz
500 MHz
Rev. 05 - 23 November 2007
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG67,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG67/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors
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