參數(shù)資料
型號： BFG67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 14/14頁
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代理商： BFG67
NXP Semiconductors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
NPN 8 GHz wideband transistors
NXP B.V. 2007.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 23 November 2007
Document identifier: BFG67_X_XR_N_5
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Revision history
Table 1.
Document ID
BFG67_X_XR_N_5
Modifications:
BFG67_X_XR_4
(9397 750 04349)
BFG67_SERIES_3
BFG67_SERIES_2
BFG67_SERIES_1
Revision history
Release date
20071123
Page 2; Table Marking code; row 1 and 2 code changed
19981002
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BFG67_X_XR_4
-
BFG67_SERIES_3
19950901
-
-
Product specification
Product specification
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BFG67_SERIES_2
BFG67_SERIES_1
-
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參數(shù)描述
BFG67 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG67/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors
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