參數(shù)資料
型號(hào)： BFG67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： BFG67
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
collector leakage current
DC current gain
transition frequency
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
maximum unilateral power
gain; note 1
V
CB
= 5 V; I
E
= 0
I
C
= 15 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V; f = 500 MHz
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz; Z
S
= 60
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz; Z
S
= 60
60
100
8
0.7
1.3
0.5
17
50
nA
GHz
pF
pF
pF
dB
10
dB
F
noise figure
1.3
dB
1.7
dB
2.5
dB
3
dB
G
UM
10
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
-------------------------------------------------------------- dB.
log
=
Rev. 05 - 23 November 2007
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG67,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,235 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG67/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors
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