參數(shù)資料
型號(hào)： BFG67
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG67<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： BFG67
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures
excellent reliability.
APPLICATIONS
Wideband applications in the GHz
range, such as satellite TV tuners and
portable RF communications
equipment.
DESCRIPTION
NPN silicon transistor in a 4-pin,
dual-emitter SOT143B plastic
package. Available with in-line emitter
pinning (BFG67) and cross emitter
pinning (BFG67/X). Version with
reverse pinning (BFG67/XR) also
available on request.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG67 (Fig.1)
BFG67/X (Fig.1)
BFG67/XR (Fig.2)
V3
%
%MV
V26
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG67
BFG67/X
BFG67/XR
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
collector
emitter
base
emitter
collector
emitter
base
emitter
Fig.1
Simplified outline
SOT143B.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
Fig.2
Simplified outline
SOT143R.
handbook, 2 columns
Top view
MSB035
1
2
4
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
P
tot
C
re
f
T
G
UM
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral power
gain
noise figure
open base
0.5
8
17
10
50
300
V
mA
mW
pF
GHz
dB
T
s
≤
65
°
C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V; f = 500 MHz
I
C
= 15 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
F
1.3
dB
2.2
dB
Rev. 05 - 23 November 2007
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG92A NPN 5 GHz wideband transistor
BFG92A NPN 5 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG67 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,235 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG67/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors
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