參數資料
型號： BFG590
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFG590<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG590/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47
文件頁數： 5/11頁
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代理商： BFG590
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590; BFG590/X
V
CE
= 8 V.
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
handbook, halfpage
hFE
0
10
2
50
100
150
200
MRA749
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
0
0.8
0.4
0
2
10
MLC057
4
6
8
VCB
Cre
(pF)
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE =
4 V; f = 1 GHz.
handbook, halfpage
f
(GHz)
0
10
4
6
MLC058
10
2
2
I C
T
Rev. 04 - 12 November 2007
5 of 11
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