參數(shù)資料
型號(hào)： BFG590
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFG590<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG590/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： BFG590
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590; BFG590/X
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
MATV/CATV amplifiers and RF communications
subscriber equipment in the GHz range
Ideally suitable for use in class-A, (A)B and C amplifiers
with either pulsed or continuous drive.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin
dual-emitter SOT143B plastic package.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG590
BFG590/X
%MH
%MN
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG590
BFG590/X
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 Simplified outline SOT143B.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral power gain
open emitter
open base
50
90
0.7
5
13
20
15
200
400
280
V
V
mA
mW
T
s
≤
60
°
C
I
C
= 35 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= 0; V
CE
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 1 GHz
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V;
f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
pF
GHz
dB
|S
21
|
2
insertion power gain
11
dB
Rev. 04 - 12 November 2007
2 of 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG591 NPN 7 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG590 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG590,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG590 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143
BFG590/X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-143
BFG590/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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