參數(shù)資料
型號： BFG541
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG541<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 298K
代理商： BFG541
September 1995
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG541
Fig.10 Intermodulation distortion as a function of
collector current.
handbook, halfpage
dim
(dB)
10
60
–70
–60
MEA977
–50
–40
–30
20
30
40
50
IC
Fig.11 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
handbook, halfpage
d2
(dB)
10
60
–70
–60
MEA976
–50
–40
–30
20
30
40
50
I C
Fig.12 Minimum noise figure and associated
available gain as functions of collector
current.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
Fmin
(dB)
MRA666
4
1
10
2000 MHz
2000 MHz
1000 MHz
f = 900 MHz
1000 MHz
900 MHz
500 MHz
100
IC (mA)
3
2
1
0
20
Gass
(dB)
15
Gass
Fmin
10
5
0
5
Fig.13 Minimum noise figure and associated
available gain as functions of frequency.
V
CE
= 8 V.
handbook, halfpage
(dB)
MRA667
4
10
2
10
3
10
4
40 mA
40 mA
10 mA
IC =10 mA
f (MHz)
3
2
1
0
20
Gass
(dB)
15
Gass
Fmin
10
5
0
5
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