參數(shù)資料
型號： BFG520W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG520W/X<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大小： 305K
代理商： BFG520W
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W; BFG520W/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
R
BE
= 0
open collector
65
20
15
2.5
70
500
+150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
85
°
C; see Fig.2; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
s
≤
85
°
C; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
180
K/W
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
400
0
MBG248
150
Ts
o
Ptot
(mW)
200
Rev. 04 - 21 November 2007
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PDF描述
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520 NPN 9 GHz wideband transistor
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