參數(shù)資料
型號： BFG520W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG520W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;BFG520W/X<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week
文件頁數(shù)： 2/15頁
文件大小： 305K
代理商： BFG520W
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG520W; BFG520W/X
FEATURES
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
RF front end wideband applications in the GHz range,
such as analog and digital cellular telephones, cordless
telephones (CT2, CT3, PCN, DECT, etc.), radar detectors,
pagers, satellite television tuners (SATV) and repeater
amplifiers in fibre-optic systems.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin
dual-emitter SOT343N plastic package.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG520W
BFG520W/X
N3
N4
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG
520
W
BFG
52
0W/X
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 Simplified outline SOT343N.
handbook, halfpage
Top view
MBK523
2
1
3
4
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
120
0.35
9
17
MAX. UNIT
V
CBO
V
CES
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage R
BE
= 0
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral
power gain
insertion power gain
noise figure
open emitter
20
15
70
500
250
V
V
mA
mW
T
s
≤
85
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V
I
C
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C
pF
GHz
dB
|S
21
|
2
F
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
°
C 16
Γ
s
= Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; f = 900 MHz
17
1.1
1.6
dB
dB
Rev. 04 - 21 November 2007
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PDF描述
BFG520W NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520 NPN 9 GHz wideband transistor
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