參數(shù)資料
型號: BFG480W
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN wideband transistor
封裝: BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always
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代理商: BFG480W
1998 Oct 21
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
14.5
4.5
1
250
360
+150
150
V
V
V
mA
mW
C
C
T
s
60
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
(mW)
0
40
80
160
0
400
MGR623
Ts (
°
C)
120
300
200
100
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
250
K/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG480W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG480W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
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