參數(shù)資料
型號： BFG480W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BFG480W<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 362K
代理商： BFG480W
1998 Oct 21
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN wideband transistor
BFG480W
Fig.14 Power gain and collector efficiency as a
function of load power; typical values.
Pulsed, class-AB operation;
< 1 ; 2; t
p
= 5 ms.
f = 2 GHz; V
CE
= 2.4 V; I
CQ
= 1 mA; tuned at P
L
= 100 mW.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
10
14
18
26
12
4
0
8
MGR635
PL (dBm)
Gp
80
60
20
0
40
22
η
C
(%)
η
C
Fig.15 Power gain and collector efficiency as a
function of load power; typical values.
Pulsed, class-AB operation;
< 1 ; 2; t
p
= 5 ms.
f = 2 GHz; V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; tuned at P
L
= 100 mW.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
10
14
18
26
12
4
0
8
MGR636
PL (dBm)
Gp
80
60
20
0
40
22
η
C
(%)
η
C
Fig.16 Input impedance as function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; P
L
= 100 mW; T
s
60
C.
handbook, halfpage
(
Ω
)
1.8
1.85
1.9
2
0
8
MGR637
1.95
6
4
2
f (GHz)
ri
xi
Fig.17 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 3.6 V; I
CQ
= 1 mA; P
L
= 100 mW; T
s
60
C.
handbook, halfpage
1.8
1.85
1.9
2
0
MGR638
1.95
20
10
ZL
(
Ω
)
f (GHz)
RL
XL
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PDF描述
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BFG480W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R
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