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參數(shù)資料
| 型號： | BFG325W |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 14 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG325W/XR<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | BFG325W |
BFG325W_XR
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
4 of 13
NXP Semiconductors
BFG325W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
[1]
G
max
is the maximum power gain, if K > 1. If K < 1 then G
max
= MSG, see
Figure 4
.
Ds
2
+
2
K is the Rollet stability factor:
where
.
MSG = maximum stable gain.
K
----------------------------------------------------------
2
s
21
2
s
12
=
Ds
s
11
s
22
s
12
s
21
–
=
Fig 1.
Power derating curve
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
C
= 0 mA; f = 1 MHz.
Collector-base capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
I
C
= 15 mA; V
CE
= 3 V.
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 3.
Fig 4.
T
sp
(
°
C)
0
200
150
50
100
001aac158
100
150
50
200
250
P
tot
(mW)
0
001aac159
V
CE
(V)
0
6
5
3
1
4
2
I
C
(mA)
10
15
20
25
5
30
35
0
I
B
= 350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
200
μ
A
50
μ
A
V
CB
(V)
0
5
4
2
3
1
001aac160
0.26
0.30
0.34
C
CBS
(pF)
0.22
001aac161
20
10
30
40
G
(dB)
0
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
G
max
MSG
s
21 2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG325 | NPN 14 GHz wideband transistor |
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