參數(shù)資料
型號： BFG325
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 14 GHz wideband transistor
封裝： BFG325/XR<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大小： 190K
代理商： BFG325
BFG325_XR
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
5 of 13
NXP Semiconductors
BFG325/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
V
CE
= 3 V; I
C
= 15 mA; Z
o
= 50
.
Common emitter input reflection coefficient (s
11
); typical values
Fig 5.
V
CE
= 3 V; I
C
= 15 mA.
Common emitter forward transmission coefficient (s
21
); typical values
Fig 6.
001aac151
90
°
90
°
5
0.5
0.2
+
0.2
0
+
2
+
5
5
2
0.2
+
0.5
0.5
+
1
1
2
1
10
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
°
135
°
45
°
135
°
180
°
0
°
3 GHz
40 MHz
001aac152
90
°
90
°
45
°
135
°
45
°
135
°
0
°
0
180
°
50
40
30
20
10
40 MHz
3 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG325/XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325/XR,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG325W/XR NPN 14GHz wideband transistor
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