參數(shù)資料
型號(hào): BFG325
廠(chǎng)商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: NPN 14 GHz wideband transistor
封裝: BFG325/XR<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù): 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商: BFG325
BFG325_XR
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Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
10 of 13
NXP Semiconductors
BFG325/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BFG325_XR v.2
Modifications:
Revision history
Release date
20110915
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guidelines of NXP Semiconductors.
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Package outline drawings have been updated to the latest version.
20050202
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
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Supersedes
BFG325_XR v.1
BFG325_XR v.1
(9397 750 14247)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325 NPN 14 GHz wideband transistor
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
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BFG424F NPN 25 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG325/XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325/XR,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG325W 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG325W/XR NPN 14GHz wideband transistor