參數(shù)資料
型號(hào): BFG310XR
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 14 GHz wideband transistor
中文描述: npn型14 GHz的寬帶晶體管
文件頁數(shù): 9/12頁
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代理商: BFG310XR
9397 750 14245
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 February 2005
9 of 12
Philips Semiconductors
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
9.
Package outline
Fig 10. Package outline SOT343R
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT343R
D
A
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
0
1
2 mm
scale
X
2
1
4
3
Plastic surface mounted package; reverse pinning; 4 leads
SOT343R
w
M
B
97-05-21
bp
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
b1
HE
Lp
Q
w
v
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
0.7
0.5
2.2
1.8
1.35
1.15
e
2.2
2.0
1.3
e1
0.2
y
0.1
0.2
1.15
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.23
0.13
e1
A
e
y
b1
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BFG325/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel