參數(shù)資料
型號(hào)： BFG310XR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 14 GHz wideband transistor
中文描述： npn型14 GHz的寬帶晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： BFG310XR
9397 750 14245
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 February 2005
4 of 12
Philips Semiconductors
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
Fig 1.
Power derating curve
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
C
= 0 mA; f = 1 MHz.
Collector-base capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
I
C
= 5 mA; V
CE
= 3 V.
Gain as a function of frequency; typical values
Fig 3.
Fig 4.
T
sp
(
°
C)
0
200
150
50
100
001aac177
P
tot
(mW)
20
30
40
10
50
70
60
0
001aac178
V
CE
(V)
0
6
5
3
1
4
2
I
C
(mA)
I
B
= 120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
60
μ
A
4
6
8
2
10
0
V
CB
(V)
0
5
4
2
3
1
001aac179
C
CBS
(pF)
0.17
0.16
0.19
0.18
0.20
0.15
001aac180
20
10
30
40
G
(dB)
0
f (MHz)
10
10
4
10
3
10
2
MSG
s
21 2
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