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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG11 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-143, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BFG11 |
1995 Apr 07
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
Ruggedness in class-AB operation
The BFG11 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 8 : 1 through all phases, at rated
output power under pulsed conditions up to a supply voltage of 8 V, f = 1.9 GHz and a duty cycle of 1 : 8.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(mA)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
4
typ. 5
η
c
(%)
≥
50
typ. 70
Pulsed, class-AB, duty cycle < 1 : 8
1.9
3.6
1
400
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 400 mW.
Fig.4
Power gain and collector efficiency as
functions of load power; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
0
MLC849
2
4
6
100
20
40
60
80
200
400
600
800
Gp
PL
c
(%)
η
c
η
Fig.5
Load power as a function of drive power;
typical values.
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 400 mW.
handbook, halfpage
PL
(mW)
0
100
200
300
0
MLC850
600
400
200
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG11X | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG11 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG11/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG11/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG11W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
| BFG11W/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
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