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參數(shù)資料
| 型號： | BFG11 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-143, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BFG11 |
1995 Apr 07
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
average collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
8
2.5
500
500
400
+150
175
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 60
°
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
(mW)
400
0
50
100
200
200
0
MLC818
150
s
o
300
100
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the “Limiting values” and “Thermal characteristics”
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
up to T
s
= 60
°
C; note 1;
P
tot
= 400 mW
290
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG11X | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG11 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG11/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG11/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG11W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
| BFG11W/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
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