參數(shù)資料
型號(hào)： BF909WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF909WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商： BF909WR
2010 Sep 15
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF909WR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
drain-source voltage
drain current
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
7
40
10
10
280
V
mA
mA
mA
mW
up to T
amb
= 50
C; see Fig.2;
note 1
T
stg
T
j
storage temperature range
operating junction temperature
65
+150
+150
C
C
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
100
200
0
MLD150
150
200
100
Ptot
(mW)
Tamb
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF991 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF909WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 280mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909WR115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF926 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR
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