參數(shù)資料
型號: BF840
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN medium frequency transistor
中文描述: NPN中頻晶體管
封裝: BF840<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF840<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 94K
代理商: BF840
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1999 Apr 12
2004 Jan 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF840
NPN medium frequency transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF961 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF961A N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF961B N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF966S N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF970 Silicon PNP Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF840 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MED FREQ NPN 40V