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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF587 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN high-voltage transistors |
| 中文描述： | 0.1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | BF587 |
1999 Apr 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistors
BF585; BF587
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
78
25
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 300 V
I
E
= 0; V
CB
= 250 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25 mA; V
CE
= 20 V
I
C
= 40 mA; V
CE
= 20 V
I
C
= 30 mA; I
B
= 5 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
CE
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V
50
20
70
20
20
100
600
2.5
1.8
110
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
V
CEsat
C
c
C
re
f
T
collector-emitter saturation voltage
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
mV
pF
pF
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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