參數(shù)資料
型號: BF545B
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel FET
封裝: BF545B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 6, 2005,;
文件頁數(shù): 12/16頁
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代理商: BF545B
BF545A_BF545B_BF545C
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Product data sheet
Rev. 4 — 15 September 2011
12 of 16
NXP Semiconductors
BF545A; BF545B; BF545C
N-channel silicon junction field-effect transistors)
9. Package outline
Fig 23. Package outline.
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF545C N-channel FET
BF556A N-channel FET
BF556B N-channel FET
BF556C N-channel FET
BF861A N-channel FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF545B,215 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 30V 2mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF545C 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon junction field-effect transistors
BF545C,215 功能描述:射頻JFET晶體管 JFET N-CH 30V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF545C,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF545C Series 30 V 250 mW N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
BF545C215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF JFET N CH 30V 25MA 3-SO 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:JET N CH 30V SOT-23