參數(shù)資料
型號： BF513
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel silicon FET
封裝： BF513<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 234K
代理商： BF513
December 1997
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF510 to 513
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Measuring conditions (common source):
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
amb
= 25
C for BF510 and BF511
V
DS
= 10 V; I
D
= 5 mA; T
amb
= 25
C for BF512 and BF513
BF510
C
is
5
g
is
typ.
100
typ.
0.4
0.5
y
fs
2.5
y
fs
y
fs
typ.
3.5
C
os
3
g
os
60
g
os
typ.
35
y-parameters (common source)
Input capacitance at f = 1 MHz
Input conductance at f = 100 MHz
511
512
513
5
5
5 pF
50
S
0.4 pF
0.5 pF
3.5 mS
7.0 mS
5.0 mS
3 pF
120
S
90
S
90
0.4
0.5
4.0
60
0.4
0.5
4.0
6.0
5.0
Feedback capacitance at f = 1 MHz
C
rs
Transfer admittance at f = 1 kHz
V
GS
= 0 instead of I
D
= 5 mA
Transfer admittance at f = 100 MHz
Output capacitance at f = 1 MHz
Output conductance at f = 1 MHz
Output conductance at f = 100 MHz
5.5
3
3
80
55
100
70
Noise figure
at optimum source admittance
G
S
= 1 mS;
B
S
= 3 mS;
f = 100 MHz
F
typ.
1.5
1.5
1.5
1.5 dB
Fig.2
V
GS
= 0 for BF510 and BF511;
I
D
= 5 mA for BF512 and BF513;
f = 1 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
typ
20
0
0.5
1
Crs
(pF)
VDS (V)
4
8
12
16
MDA275
Fig.3
V
DS
= 10 V; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C; typical
values.
handbook, halfpage
(mS)
0
5
ID (mA)
10
15
0
8
6
4
2
MDA276
BF511
BF510
BF512
BF513
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