- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378411 > BF513 (NXP Semiconductors N.V.) N-channel silicon FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BF513 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel silicon FET |
| 封裝： | BF513<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | BF513 |
December 1997
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF510 to 513
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8 mm
10 mm
0.7 mm.
STATIC CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
C
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (open source)
Drain current (DC or average)
Gate current
Total power dissipation up to T
amb
= 40
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
DGO
I
D
I
G
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
150
C
max.
20 V
20 V
30 mA
10 mA
250 mW
150
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
430 K/W
BF510
511
512
513
Gate cut-off current
V
GS
= 0.2 V; V
DS
= 0
Gate-drain breakdown voltage
I
S
= 0;
I
D
= 10
A
Drain current
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
I
GSS
10
10
10
10 nA
V
(BR)GDO
20
20
20
20 V
<
0.7
3.0
2.5
7.0
6
12
10
18
mA
mA
I
DSS
Gate-source cut-off voltage
I
D
= 10
A; V
DS
= 10 V
V
(P)GS
typ.
0.8
1.5
2.2
3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF545A | N-channel FET |
| BF545B | N-channel FET |
| BF545C | N-channel FET |
| BF556A | N-channel FET |
| BF556B | N-channel FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF513 T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF513,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF513T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10MA I(DSS) | TO-236 |
| BF514 | 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Blackfin Embedded Processor |
| BF514F | 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Blackfin Embedded Processor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。