- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369459 > BF485PN TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 350V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BF485PN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 350V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|互補| 350V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 74 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | BF485PN |
2000 Aug 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN/PNP high voltage transistors
BF485PN
handbook, halfpage
IC
(mA)
0
2
(1)
(7)
(10)
(2)
(3)
(4)
(5)
10
150
50
0
100
4
VCE (V)
6
8
MLD397
(9)
(8)
Fig.8
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
TR2 (PNP).
(1) I
B
=
50 mA.
(2) I
B
=
45 mA.
(3) I
B
=
40 mA.
(4) I
B
=
35 mA.
(5) I
B
=
30 mA.
(6) I
B
=
25 mA.
(7) I
B
=
20 mA.
(8) I
B
=
15 mA.
(9) I
B
=
10 mA.
(10) I
B
=
5 mA.
handbook, halfpage
(mV)
800
0
10
1
MLD398
1
(2)
(3)
IC (mA)
10
10
2
200
400
600
(1)
Fig.9
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
TR2 (PNP)
; V
CE
=
10 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
VBEsat
(mV)
600
800
400
200
MLD399
10
1
1
(1)
(3)
IC (mA)
10
10
2
(2)
Fig.10 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
TR2 (PNP)
; I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
10
1
MLD400
1
(1)
(2)
(3)
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
10
2
Fig.11 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current: typical values.
TR2 (PNP)
; I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF485 | NPN high-voltage transistors |
| BF491 | RKZ Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 05V; Output Voltage (Vdc): 15V; Power: 2W; High Isolation 2W Converter; Approved for Medical Applications; Custom Solutions Available; 3kVDC & 4kVDC Isolation Options; UL94V-0 Package Material; Optional Continuous Short Circuit Protected; Efficiency to 84% |
| BF4935P | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| BF493SP | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BF492 | PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF487 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high-voltage transistors |
| BF488 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP high-voltage transistor |
| BF48TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| BF491 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF491STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。