參數(shù)資料
型號(hào)： BF422L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistor
中文描述： 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 41K
代理商： BF422L
1999 Apr 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistor
BF422L
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
200
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V; T
amb
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25 mA; V
CE
= 20 V
I
C
= 30 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 30 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz 60
50
10
10
50
600
1.6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
C
re
f
T
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
feedback capacitance
transition frequency
mV
pF
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF422 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
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BF422 NPN Silicon Transistor (High voltage application Monitor equipment application)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF422RL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF422RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF422S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92VAR
BF422T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
BF422ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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