參數(shù)資料
型號(hào)： BF422L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN high-voltage transistor
中文描述： 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： BF422L
1999 Apr 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN high-voltage transistor
BF422L
FEATURES
Low current (max. 50 mA)
High voltage (max. 300 V).
APPLICATIONS
Telephony.
DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a TO-92; SOT54 plastic
package. PNP complements: BF421L and BF423L.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM259
2
1
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
250
250
5
50
100
50
625
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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BF422RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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