參數(shù)資料
型號： BF410D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel silicon field-effect transistors
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： BF410D
December 1990
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF410A to D
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
STATIC CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (open source)
Drain current (DC or average)
Gate current
Total power dissipation up to T
amb
= 75
°
C
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
V
DGO
I
D
±
I
G
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
+
150
°
C
max.
20 V
20 V
30 mA
10 mA
300 mW
150
°
C
From junction to ambient in free air
R
th j-a
=
250 K/W
Gate cut-off current
V
GS
= 0.2 V; V
DS
= 0
Gate-drain breakdown voltage
I
S
= 0;
I
D
= 10
μ
A
Drain current
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
BF410A
B
C
D
10
I
GSS
max.
10
10
10
nA
V
(BR)GDO
min.
20
20
20
20
V
I
DSS
min.
max.
0.7
3.0
2.5
7.0
6
10 mA
18 mA
12
Gate-source cut-off voltage
I
D
= 10
μ
A; V
DS
= 10 V
V
(P)GS
typ.
0.8
1.5
2.2
3 V
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