參數(shù)資料
型號： BF1212R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1212R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大小： 429K
代理商： BF1212R
2003 Nov 14
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1212; BF1212R; BF1212WR
handbook, halfpage
MLE245
10
f (MHz)
yis
(mS)
10
2
10
3
2
10
1
10
1
bis
gis
Fig.17 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MLE246
10
f (MHz)
10
2
10
3
3
10
2
10
1
10
3
10
2
10
1
rs
(deg)
yrs
(
μ
S)
yrs
rs
Fig.18 Reverse transfer admittance and phase as
functions of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
10
2
1
MLE247
10
10
10
2
1
f (MHz)
10
3
10
2
fs
(deg)
yfs
(mS)
yfs
fs
Fig.19 Forward transfer admittance and phase as
functions of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
1
10
1
MLE248
10
f (MHz)
10
3
10
2
yos
(mS)
gos
bos
Fig.20 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
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PDF描述
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