型號: | BF1212R |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-channel dual-gate MOSFET |
封裝: | BF1212R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,; |
文件頁數(shù): | 12/16頁 |
文件大?。?/td> | 429K |
代理商: | BF1212R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BF1212WR | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1212R | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1212WR | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1214 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1214 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF1212R,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1212WR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
BF1212WR,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1214 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
BF1214 T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |