參數(shù)資料
型號(hào)： BF1208
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1208<SOT666 (SOT666)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT666.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 17/23頁(yè)
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代理商： BF1208
BF1208
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Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
17 of 23
NXP Semiconductors
BF1208
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier B
Table 12.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 13 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f
(MHz)
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
(deg)
50
0.985
3.42
3.33
176.41 0.0010
100
0.984
6.96
3.31
172.70 0.0020
200
0.980
13.51 3.27
165.59 0.0039
300
0.975
20.07 3.23
158.42 0.0054
400
0.969
26.61 3.19
151.34 0.0068
500
0.961
32.89 3.14
144.33 0.0085
600
0.955
39.19 3.07
137.54 0.0100
700
0.945
45.39 3.00
130.72 0.0115
800
0.938
51.39 2.93
123.98 0.0131
900
0.930
57.36 2.85
117.31
1000
0.920
63.10 2.77
110.39
8.2.3
Noise data for amplifier B
Table 13.
V
DS(B)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(B)
= 13 mA; V
DS(A)
= 0 V; V
G1-S(A)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values;
unless otherwise specified.
f (MHz)
NF
min
(dB)
opt
ratio
400
1.3
0.695
800
1.4
0.674
Scattering parameters for amplifier B
s
11
s
21
Magnitude
s
12
Magnitude
(ratio)
s
22
Magnitude
(ratio)
0.988
0.988
0.987
0.986
0.984
0.982
0.980
0.977
0.974
0.971
0.967
Angle
Angle
Angle
(deg)
87.55
83.45
82.84
82.01
79.73
77.91
76.31
73.76
71.58
69.18
67.54
Angle
(deg)
1.60
3.16
6.31
9.40
12.46
15.57
18.62
21.70
24.76
27.81
30.86
0.0145
0.0157
Noise data for amplifier B
r
n
(
)
(deg)
13.11
32.77
0.694
0.674
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BF-1208-03SV06-Y70 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk
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