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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF1207 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1207<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 18/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | BF1207 |
BF1207
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
18 of 23
NXP Semiconductors
BF1207
Dual N-channel dual gate MOSFET
9. Test information
Fig 29. Cross-modulation test set-up for amplifier A
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1A
DA
DB
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1B
BF1207
V
GG
5 V
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
RL
50
Ω
001aac907
Vi
Fig 30. Cross-modulation test set-up for amplifier B
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
RL
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1A
DA
DB
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1B
BF1207
V
GG
0 V
V
DS(A)
5 V
V
DS(B)
5V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
001aac908
Vi
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BF1207,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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| BF1208 T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1208,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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