型號: | BF1205C |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
封裝: | BF1205C<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
文件頁數(shù): | 7/23頁 |
文件大?。?/td> | 288K |
代理商: | BF1205C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BF1205C | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF1205C T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1205C,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1206 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1206,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1206115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |