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參數(shù)資料
| 型號： | BF1205C |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1205C<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 17/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 288K |
| 代理商： | BF1205C |
BF1205C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 September 2011
17 of 23
NXP Semiconductors
BF1205C
Dual N-channel dual gate MOS-FET
8.2.2
Scattering parameters for amplifier b
Table 12.
V
DS(b)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(b)
= 13 mA; V
DS(a)
= 0 V; V
G1-S(a)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
Magnitude
ratio
(deg)
ratio
50
0.986
3.66
3.26
100
0.982
7.01
3.24
200
0.975
13.71 3.22
300
0.966
20.36 3.19
400
0.955
27.04 3.15
500
0.943
33.62 3.10
600
0.927
40.16 3.05
700
0.909
46.70 2.99
800
0.891
52.07 2.92
900
0.868
59.48 2.84
1000
0.846
65.86 2.77
8.2.3
Noise data for amplifier b
Table 13.
V
DS(b)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(b)
= 13 mA; V
DS(a)
= 0 V; V
G1-S(a)
= 0 V; T
amb
= 25
C.
f
(MHz)
(dB)
ratio
400
1.3
0.695
800
1.4
0.674
Scattering parameters for amplifier b
S
11
S
21
Magnitude
S
12
Magnitude
ratio
0.0008
0.0015
0.0029
0.0042
0.0055
0.0066
0.0076
0.0086
0.0094
0.0100
0.0107
S
22
Magnitude
ratio
0.988
0.988
0.986
0.984
0.982
0.978
0.975
0.972
0.968
0.965
0.961
Angle
Angle
(deg)
175.93
172.04
164.24
156.53
148.86
141.24
133.70
126.13
118.64
111.09
103.58
Angle
(deg)
84.23
84.91
83.96
82.86
81.88
80.92
80.15
79.68
78.28
78.28
78.15
Angle
(deg)
1.65
3.27
6.50
9.69
12.88
16.07
19.21
22.35
25.52
28.65
31.85
Noise data for amplifier b
F
min
opt
r
n
(
)
(deg)
13.11
32.77
0.694
0.674
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