參數(shù)資料
型號(hào)： BF1203
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1203<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 15/20頁(yè)
文件大小： 560K
代理商： BF1203
2001 Apr 25
15
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1203
handbook, halfpage
MGT592
2
10
1
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
yis
(mS)
bis
gis
Fig.31 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGT593
3
10
2
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
10
2
10
1
rs
(deg)
10
3
|
yrs
|
(
μ
S)
rs
|
yrs
|
Fig.32 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGT594
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|
yfs
|
(mS)
|
yfs
|
fs
(deg)
fs
Fig.33 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGT595
1
10
1
10
2
10
10
2
10
3
f (MHz)
yos
(mS)
bos
gos
Fig.34 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
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PDF描述
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BF1204 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FET
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BF1204,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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