參數(shù)資料
型號(hào)： BF1203
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1203<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 12/20頁(yè)
文件大?。?/td> 560K
代理商： BF1203
2001 Apr 25
12
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1203
handbook, halfpage
(mA)
0
2
0
4
8
12
16
0.4
0.8
1.2
1.6
VG1-S (V)
MCD952
VG2-S
=
4 V
2.5 V
3.5 V
3 V
2 V
1.5 V
1 V
Fig.19 Transfer characteristics; typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
0
8
16
2
VDS (V)
ID
(mA)
6
4
8
MCD953
VG1-S
=
1.5 V
1.4 V
1.2 V
1.3 V
1.1 V
1 V
0.9 V
Fig.20 Output characteristics; typical values.
Amplifier b
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2.5
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
VG1-S (V)
MCD954
VG2-S
=
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
Fig.21 Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
T
j
Amplifier b
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
ID (mA)
4
20
30
10
0
20
8
12
16
MCD955
3.5 V
2.5 V
3 V
2 V
VG2-S
=
4 V
Fig.22 Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
Amplifier b
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
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PDF描述
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BF1204 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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BF1204,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1204,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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