參數(shù)資料
型號(hào)： BF1202R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1202R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大?。?/td> 177K
代理商： BF1202R
2010 Sep 16
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202; BF1202R; BF1202WR
handbook, halfpage
IG1
(
μ
A)
0
2
4
6
30
10
0
20
MCD960
VG2-S (V)
4 V
3.5 V
3 V
4.5 V
VGG
=
5 V
Fig.13 Gate 1 current as a function of gate 2
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 120 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
handbook, halfpage
reduction
(dB)
0
1
2
4
50
10
3VAGC (V)
20
30
40
MCD961
Fig.14 Typical gain reduction as a function of the
AGC voltage; see Fig.21.
V
= 5 V; V
GG
= 5 V; R
G1
= 120 k
;
f = 50 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
Vunw
(dB
μ
V)
0
gain reduction (dB)
10
50
110
90
80
100
20
30
40
MCD962
Fig.15 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction; typical
values; Fig.21.
V
= 5 V; V
GG
= 5 V; R
= 120 k
;
f= 50 MHz; f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
gain reduction (dB)
10
50
12
4
0
8
20
30
40
MCD963
Fig.16 Drain current as a function of gain
reduction; typical values; see Fig.21.
V
= 5 V; V
GG
= 5 V; R
G1
= 120 k
;
f = 50 MHz; T
amb
= 25
C.
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PDF描述
BF1202WR N-channel dual-gate MOSFET
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BF1202R215 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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BF1202WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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