參數(shù)資料
型號(hào)： BF1202R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1202R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 3/15頁
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代理商： BF1202R
2010 Sep 16
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202; BF1202R; BF1202WR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
T
s
is the temperature of the soldering point of the source lead.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
drain-source voltage
drain current
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
BF1202; BF1202R
BF1202WR
storage temperature
operating junction temperature
10
30
10
10
V
mA
mA
mA
T
s
113
C; note 1
T
s
119
C; note 1
65
200
200
+150
150
mW
mW
C
C
T
stg
T
j
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
BF1202; BF1202R
BF1202WR
185
155
K/W
K/W
handbook, halfpage
(mW)
200
0
50
(1)
(2)
Ts (
°
C)
100
200
0
150
150
100
50
MCD951
Fig.4 Power derating curve.
(1) BF1202WR.
(2) BF1202; BF1202R.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1202WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1203 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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BF1204 Dual N-channel dual-gate MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1202R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1202R215 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1202WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1202WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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