參數(shù)資料
型號(hào)： BF1105WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BF1105WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
文件頁數(shù)： 5/15頁
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代理商： BF1105WR
1997 Dec 02
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
Fig.5 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(mA)
0
2
4
8
0
20
MGM244
6
15
10
5
VDS (V)
1.6 V
1.5 V
1.4 V
VG1 = 1.7 V
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1 V
Fig.6 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
20
30
10
0
0.5
2.5
MGM245
1
1.5
2
VG1 (V)
3 V
2 V
1 V
VG2-S = 4 V
3.5 V
2.5 V
1.5 V
Fig.7
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
10
20
30
30
10
0
20
MGM246
ID (mA)
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
VG2-S = 4 V
Fig.8
Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
8
12
4
0
1
5
MGM247
2
3
4
VG2-S (V)
(1)(2)(3)
(4) (5)
(1) V
DS
= 5 V.
(2) V
DS
= 4.5 V.
(3) V
DS
= 4 V.
(4) V
DS
= 3.5 V.
(5) V
DS
= 3 V.
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PDF描述
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