參數(shù)資料
型號： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
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代理商： BF1100R
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.19 Input admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD172
10
2
10
10
1
2
10
1
yis
(mS)
f (MHz)
bis
gis
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
Fig.20 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
10
3
MLD173
10
2
10
10
3
10
2
10
1
yrs
(
μ
S)
10
3
10
10
1
2
f (MHz)
yrs
rs
(deg)
rs
Fig.21 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 10 mA; T
amb
= 25
°
C.
10
3
MLD174
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
fs
(deg)
fs
Fig.22 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 9 V; V
G2
= 4 V.
I
D
=10 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLD175
10
2
10
10
1
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
Rev. 02 - 13 November 2007
9 of 15
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PDF描述
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
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