參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1100R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
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代理商： BF1100R
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.27 Cross-modulation test set-up.
For V
GG
= V
DS
= 9 V, R
G
= 180 k
.
For V
GG
= V
DS
= 12 V, R
G
= 250 k
.
handbook, full pagewidth
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MGC420
C4
4.7 nF
L1
450 nH
≈
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG
Rev. 02 - 13 November 2007
11 of 15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
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BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1100R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 14V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF1100T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF1100WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FET
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