參數(shù)資料
型號: BF1100
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: MOSFETs
英文描述: N-channel dual-gate MOSFET
封裝: BF1100<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù): 11/15頁
文件大?。?/td> 311K
代理商: BF1100
NXP
Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FETs
BF1100; BF1100R
Fig.27 Cross-modulation test set-up.
For V
GG
= V
DS
= 9 V, R
G
= 180 k
.
For V
GG
= V
DS
= 12 V, R
G
= 250 k
.
handbook, full pagewidth
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MGC420
C4
4.7 nF
L1
450 nH
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG
Rev. 02 - 13 November 2007
11 of 15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
BF1101 N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1100,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1100/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs
BF1100/WR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual-Gate MOS-FETs
BF1100R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual-gate MOS-FETs
BF1100R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel