參數(shù)資料
型號(hào)： BDX33BBU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/61頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： BDX33BBU
BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C
3–218
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX34C
VCEO(sus)
80
100
—
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0, RBE = 100)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX33C
VCER(sus)
80
100
—
Vdc
Collector–Emitter Sustaining Voltage1
(IC = 100 mAdc, IB = 0, VBE = 1.5 Vdc)
BDX33B/BDX34B
BDX33C/BDX34C
VCEX(sus)
80
100
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 1/2 rated VCEO, IB = 0)
TC = 25_C
TC = 100_C
ICEO
—
0.5
10
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = rated VCBO, IE = 0)
TC = 25_C
TC = 100_C
ICBO
—
1.0
5.0
mAdc
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
10
mAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain1
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
hFE
750
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 6.0 mAdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
VCE(sat)
—
2.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
BDX33B, 33C/34B, 34C
VBE(on)
—
2.5
Vdc
Diode Forward Voltage
(IC = 8.0 Adc)
VF
—
4.0
Vdc
1 Pulse Test: Pulse Width v 300 s, Duty Cycle v 2.0%.
2 Pulse Test non repetitive: Pulse Width = 0.25 s.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BDX33C 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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