參數(shù)資料
型號(hào)： BDP32
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP medium power transistor
中文描述： 3 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： BDP32
1999 Apr 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistor
BDP32
FEATURES
High current (max. 3 A)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose medium power applications.
DESCRIPTION
PNP medium power transistor in a SOT223 plastic
package. NPN complement: BDP31.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
base
collector
emitter
2,4
3
Fig.1 Simplified outline (SOT223) and symbol.
handbook, halfpage
4
1
2
3
MAM288
Top view
3
2, 4
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for the SOT223 in the General Part of associated
Handbook”
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
45
45
5
3
6
0.5
1.35
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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