參數(shù)資料
型號： BD744A
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 進步黨硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： BD744A
3
AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997
BD744, BD744A, BD744B, BD744C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
-100
h
F
10
100
1000
TCS638AA
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
V
CE
= -4 V
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
-10
I
C
I
B
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
-100
V
C
-0·01
-0·1
-1·0
TCS638AB
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
t
p
= 300μs, duty cycle < 2%
= 10
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
-1·0
-10
-100
-1000
I
C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
SAS638AA
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
t
p
= 1 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50 ms,
d = 0.1 = 10%
DC Operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD744B PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD744C PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD750 TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
BD750B PC Board Fuse; Fuse Type:Very Fast Acting; Reel Quantity:3000; Series:435
BD751 TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD744A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD744B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 90W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD744B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 15A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD744C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 90W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD744C(PI) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
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