型號: | BD706 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五(巴西)總裁| 12A條一(c)| TO - 220AB現(xiàn)有 |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 227K |
代理商: | BD706 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BD705 | FUSE 1A 125V PICO FAST |
BD710 | FUSE 7A00 125V 0500LS F PC T-R |
BD743C(PI) | TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
BD743 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
BD743A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BD707 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD708 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD709 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD70GA3MEFJ-ME2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC REG LDO 7.0V 0.3A 8HTSOP |
BD70GA3WEFJ-E2 | 功能描述:低壓差控制器 - LDO LDO Reg Pos 7.0V 0.3A RoHS:否 制造商:Micrel 最大輸入電壓:5.5 V 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:10 mA 負(fù)載調(diào)節(jié): 輸出類型:Adjustable, Fixed 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-6 |