參數資料
型號： BD706
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 12A條一（c）| TO - 220AB現有
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代理商： BD706
相關PDF資料
PDF描述
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BD710 FUSE 7A00 125V 0500LS F PC T-R
BD743C(PI) TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
BD743 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD743A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數
參數描述
BD707 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD708 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD709 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD70GA3MEFJ-ME2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC REG LDO 7.0V 0.3A 8HTSOP
BD70GA3WEFJ-E2 功能描述:低壓差控制器 - LDO LDO Reg Pos 7.0V 0.3A RoHS:否 制造商:Micrel 最大輸入電壓:5.5 V 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:10 mA 負載調節(jié): 輸出類型:Adjustable, Fixed 輸出端數量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-6
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