參數(shù)資料
型號： BD682A
英文描述： PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
中文描述： 進步黨DARLIGNTON功率硅晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BD682A
PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682, 684
TO126
Plastic Package
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
BD676
BD676A BD678A BD680A
BD678
BD680 BD682 BD684
UNIT
Collector Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
*
NON A
I
C
=1.5A, I
B
=30mA
I
C
=2.0A, I
B
=40mA
<-----------------<2.5 -------------->
<---------------<2.8------------->
V
V
A
Base Emitter on Voltage
V
BE (on)
*
NON A
I
C
=1.5A, V
CE
=3V
I
C
=2A, V
CE
=3V
<-----------------<2.5 -------------->
<-----------------<2.5 -------------->
V
V
A
Small Signal Current Gain
IhfeI
I
C
=1.5A, V
CE
=3V
f=1MHz
<------------------ >1.0------------------>
*Pulse Condition: Width = 300
μ
s, Duty Cycle < 2%.
B
C
E
相關PDF資料
PDF描述
BD706 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB
BD705 FUSE 1A 125V PICO FAST
BD710 FUSE 7A00 125V 0500LS F PC T-R
BD743C(PI) TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
BD743 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BD682G 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD682S 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD682STU 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD682T 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD682TG 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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