參數(shù)資料
型號： BD329
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor(NPN功率晶體管)
中文描述： 3 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 68K
代理商： BD329
1997 Mar 07
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistor
BD329
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e1
L
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.88
0.65
2.7
2.3
0.60
0.45
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
e
4.58
0.254
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
16.5
15.3
1.5
0.9
L1
(1)
max
2.54
SOT32
TO-126
97-03-04
0
2.5
5 mm
scale
A
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads
SOT32
D
P1
P
E
e1
A
L
Q
c
1
2
3
L1
w
M
e
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD330 PNP power transistor(PNP功率晶體管)
BD3859AFV オーディオLSI
BD437T Triac; Thyristor Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On-State RMS Current, IT(rms):15A; Gate Trigger Current (QI), Igt:50mA; Current, It av:15A; Holding Current:70mA; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
BD437 NPN SILICON TRANSISTOR
BD533FI Triac; Thyristor Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):10A; Gate Trigger Current (QI), Igt:25mA; Current, It av:10A; Holding Current:35mA; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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BD32C3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HC-49/US Microprocessor Crystals
BD32C5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HC-49/US Microprocessor Crystals
BD32E1 制造商:CALIBER 制造商全稱:Caliber Electronics Inc. 功能描述:HC-49/US Microprocessor Crystals
BD32E3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HC-49/US Microprocessor Crystals
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